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要先弄清楚提升和混成分別的目的
提升:增加鍵結量
混成:把不同軌域的空間重新分配,達到斥力最小鍵角最大(配合VSEPR判斷)
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舉個例子好了
CH₄是sp³混成
先看看C的組態:1s²2s²2p²
注意
n=2的s軌域全滿,p軌域有兩個半滿
這個時候H要接進來只能接在兩個半滿的p軌域
也就是最多只能接兩顆
C心裡os:「我明明就有4顆價電子,可是一個軌域全滿一個軌域全空,這樣好浪費喔」
所以這個時候進行「提升」的動作來增加鍵結量
C把其中一顆2s電子提升到空的2p軌域
這個時候n=2變成4個半滿軌域可以接H
鍵結量就從2增加到4了
至於混成
就是把那1個s和3個p空間重新分配
那又是另外一件事了
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(畫重點)
結論:中心原子混成時,如果價殼層有軌域全滿、有軌域全空,可以把電子提升上去來增加鍵結量(提升一個電子增加2個鍵結量)
匿名
那如果今天是2s全滿 2p半滿 有可能提升到3s軌域嗎
匿名
用元素表去記會比較好 就會發現s p d 的規律了 你把每一個元素的s p都寫出來
匿名
什麼意思⋯⋯
不行
電子提升只能發生在同一個殼層的不同軌域
像是H₂O
O:1s²2s²2p⁴
他沒有空的p可以提升電子
所以只有2個半滿的p可以接H
鍵結量=2
匿名
意思是 O沒有辦法產生三個或三個以上的鍵結 是這個意思嗎
是的沒錯 其實提升的概念在某種層面上來說 就是用來解釋為什麼C只有兩個半滿p軌域卻可以接4根鍵
匿名
那假設今天碳最多可以產生四個鍵結 如果今天只需要三個鍵結的話 有辦法產生這種鍵結嗎
匿名
可以 就是形成sp2混成軌域 剩下一個半滿的p軌域形成π鍵
匿名
那拍鍵有可能會是混成軌域嗎
這有點牽涉到混成的問題
如果單純從「鍵數」來討論
排除像是CO那種有配位的情況
一般來說電子提升後的C有4個半滿軌域
勢必一定要接4根鍵
但是如果從混成和VSEPR來看
不考慮π鍵的話
的確可以達到3個方向3根σ鍵(但總鍵數還是4)
像是乙烯C₂H₄的C
就是3個方向3根σ鍵的sp²混成
乙烯的C在電子提升之後
只用了1個s和2個p混成3個sp²軌域
剩下的p和另一個C剩下的p側對側形成π鍵(π鍵不影響混成)
所以是3個方向的sp²平面三角形結構(有1根π鍵)
匿名
我懂了!!! 謝謝你!!!