匿名
一直聽不懂老師說的混成軌域那邊的提升
想問一下
是在什麼情況下才需要提升
麻煩學霸教學@@
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要先弄清楚提升和混成分別的目的 提升:增加鍵結量 混成:把不同軌域的空間重新分配,達到斥力最小鍵角最大(配合VSEPR判斷) - 舉個例子好了 CH₄是sp³混成 先看看C的組態:1s²2s²2p² 注意 n=2的s軌域全滿,p軌域有兩個半滿 https://i.imgur.com/bvPq3r7.jpg 這個時候H要接進來只能接在兩個半滿的p軌域 也就是最多只能接兩顆 C心裡os:「我明明就有4顆價電子,可是一個軌域全滿一個軌域全空,這樣好浪費喔」 所以這個時候進行「提升」的動作來增加鍵結量 C把其中一顆2s電子提升到空的2p軌域 https://i.imgur.com/5g96NfU.jpg 這個時候n=2變成4個半滿軌域可以接H 鍵結量就從2增加到4了 至於混成 就是把那1個s和3個p空間重新分配 那又是另外一件事了 - (畫重點) 結論:中心原子混成時,如果價殼層有軌域全滿、有軌域全空,可以把電子提升上去來增加鍵結量(提升一個電子增加2個鍵結量)
匿名
用元素表去記會比較好 就會發現s p d 的規律了 你把每一個元素的s p都寫出來
不行 電子提升只能發生在同一個殼層的不同軌域 像是H₂O O:1s²2s²2p⁴ https://i.imgur.com/EoXUiep.jpg 他沒有空的p可以提升電子 所以只有2個半滿的p可以接H 鍵結量=2
是的沒錯 其實提升的概念在某種層面上來說 就是用來解釋為什麼C只有兩個半滿p軌域卻可以接4根鍵
匿名
可以 就是形成sp2混成軌域 剩下一個半滿的p軌域形成π鍵
這有點牽涉到混成的問題 如果單純從「鍵數」來討論 排除像是CO那種有配位的情況 一般來說電子提升後的C有4個半滿軌域 勢必一定要接4根鍵 但是如果從混成和VSEPR來看 不考慮π鍵的話 的確可以達到3個方向3根σ鍵(但總鍵數還是4) 像是乙烯C₂H₄的C 就是3個方向3根σ鍵的sp²混成 乙烯的C在電子提升之後 只用了1個s和2個p混成3個sp²軌域 剩下的p和另一個C剩下的p側對側形成π鍵(π鍵不影響混成) 所以是3個方向的sp²平面三角形結構(有1根π鍵) https://i.imgur.com/qrdPZyN.jpg